产品简介
        该串转并驱动器芯片采用GaAs ED工艺，内置6位串并电路、6位二级缓存、6位并口驱动电路和1位串口输出，可将6位串行TTL输入数据选择锁存至6位二级缓存中，实现6位并口输出，输出信号为6位互补-5V~0V信号，亦可通过串口输出端与下级驱动器的数据端互联实现串并转换位数的扩展。该产品具有功耗低，使用方便，速度快等特点，可广泛应用于控制GaAs FET开关、衰减器和移相器等电路，更可方便应用于在T/R组件中。

主要指标
        工艺类型：250nm GaAs                                                         

        最高频率：20MHz
        工作模式：6位一级缓存，6位二级缓存
        输入信号：兼容TTL
        输出信号：-5V~0V
        外形尺寸：3mm×1.5mm×0.1mm（待定）

典型应用
        GaAs FET开关
        GaAs FET移相器
        GaAs FET衰减器